大趋势催生自主功率“芯片”,大格局孕育ライブカジノハウス 入金方法飞跃“坦途”
2016/10/3 | 来自:董事会秘书处高成长行业爆发和自主可控,综合催生IGBT/智能模块IPM等高端功率半导体飞速成长。新能源汽车及其充电设备对IGBT类芯片和模块产品需 求旺盛,功率模块成本占比高达约10%,仅本土需求即达600亿元规模; 历史上,ライブカジノハウス 入金方法曾为国家军工行业相关建设提供坚强保障和支撑,现今,在 高端武器装备电磁化发展趋势明显下,国产替代实现自主可控已迫在眉睫; ライブカジノハウス 入金方法能力已达国际水平,并具备稀缺的"实际量产落地"能力,预计将依 托旺盛需求,实现高附加值产品放量,盈利水平将获得快速提升。
第三代功率器件迎巨大潜在市场,ライブカジノハウス 入金方法具备迎接新机遇的充足主客观条件。 第三代功率半导体与现有高端产品,在材料/结构/工艺/封装等核心环节,具备明显的传承性,ライブカジノハウス 入金方法IDM模式下完全能够满足新材料器件的发展需 要,技术向上延伸水到渠成,高端产能扩容和技术升级发展预期十分强烈。
高门槛行业龙头有望依托其产业资源,提供更关键的"产业服劳〃。摆脱以往国外引进和自主培养的传统模式,实现人才繁荣,是半导体发展核心动 因;ライブカジノハウス 入金方法在功率半导体领域50多年的资源优势可谓凤毛麟角,有望带动 相关产业服务,形成集群创新发展。
首次覆盖给予〃强烈推荐"评级。15-17年净利润预计0.41/0.95/2.05亿 元,EPS 0.06/0.13/0.28元,同比増速14%/134%/115%。行业资源整 合趋势给予ライブカジノハウス 入金方法较强内生外延发展预期;军工/新能源亟待突破,高附加值 产品持续优化获利能力;功率半导体战略新兴格局下,"大行业小ライブカジノハウス 入金方法"现 状给予足够空间;鉴于未来业绩高成长和PEG考量,以及潜在突破行业估 值中枢较高,给予17年35倍PE ,第一目标价9.8元,具长期投资价值。 今风险提示:本土半导体国产化替代,以及新应用领域拓展不达预期的风险。
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