成果名称：新型功率半导体器件VDMOS开发

完成单位：ライブカジノハウス 入金不要ボーナス 出金条件华微电子股份公司

成果来源：计划外自选项目

批 准 号：鉴字［2007］第017号

成果简介：该项目对新型功率半导体器件VDMOS产业化关键技术进行了开发。在器件结构的设计上，采取钝角代替直角，减少了在沟道拐角处电荷的富集，减低了局域电场，提高了器件的击穿电压；在器件制备工艺上，采用衬底粗糙技术，降低了通态电阻；采用高能量As离子注入和薄二氧化硅保护层技术相结合，既避免了高能离子注入对半导体材料的损伤效应，又提高了界面截流子浓度，改善了均匀性；采用复合栅技术，减低了栅极电阻，提高了器件的稳定性。产品经中国赛宝（吉林）实验室/ライブカジノハウス 入金不要ボーナス 出金条件电子信息产品监督检验研究院检测，主要性能指标达到了fairchild公司同类产品水平。