立新经济潮头，创微电子一强

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2009年6月24 日获得一种掺磷吸杂方法专利专利号：ZL2007 1 0056293.5

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2009年6月23日获得边缘不对称倒角单晶片专利专利号：ZL 2009 2 0093957.X

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2009年4月8日获得扩散抛光片单侧主扩散制作方法专利专利号：ZL2007 1 005527 5.5

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2008年12月20日获得绿色照明用场效应晶体管二等奖.

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2008年2月6日获得一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件专利专利号：ZL 2007 2 0067356.2

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2008年2月6日获得采用PSG掺杂ライブカジノハウスコード的VDMOS功率器件专利

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